Abstract FR:

Dans ce travail, nous avons elabore des couches minces d'oxydes d'etain par une methode de deposition connue sous le nom pulverisation electrostatique et pyrolytique que nous avons developpee. Cette technique est basee sur la pulverisation d'un precurseur par un champ electrostatique maintenue entre le substrat chauffe et l'aiguille de precurseur. Les proprietes structurale, electrique et optique des films sno 2 : f sont etudiees en fonction des parametres de depot (concentration de dopant hf, distance aiguille-substrat, temperature du substrat ts). Les diffractions x montrent que ces films sont polycristallins a ts = 550\c et deviennent amorphes avec la diminution de la temperature. L'incorporation de dopant hf n'affecte pas l'orientation structurale des films meme pour des grandes concentrations. Les mesures electriques (effet hall, quatre pointes) et optiques (transmission et reflexion) montrent que nous pouvons obtenir des films tres conducteurs ( = 9. 10 4. Cm) et tres transparents (t = 85% dans le visible). Le comportement optique des ces films dans les regions u. V. , visible et n. I. R. En fonction des porteurs libres est interprete par le modele theorique de drude. La caracterisation par les techniques i(v) et c(v) des cellules a heterojonction sno 2 : f/si(n) fabriquees par la meme technique a permis la determination des parametres physiques (densite de porteurs libres, epaisseurs de l'oxyde, largeur de la zce, densite d'etat d'interface) et les parametres electriques (courant de court-circuit, tension du circuit ouvert, facteur de remplissage, rendement de conversion).