Abstract FR:

Deux nouvelles techniques non destructives de caracterisation des materiaux semiconducteurs sont presentees. La microscopie a saut de phase ainsi que la microscopie a glissement de franges sont deux methodes optiques basees sur l'interferometrie. Leurs caracteristiques complementaires ont permis de les regrouper sur un meme instrument qui permet, grace a un systeme de traitement d'images par ordinateur, de cartographie la surface de couches minces ou des composants microelectroniques. Une comparaison de ces methodes ses presentee et des exemples d'applications illustrent les proprietes de ces techniques. Les problemes de l'interferometrie en lumiere monochromatique et en lumiere blanche qui sont abordes introduisent le besoin d'un logiciel de simulation de ces phenomenes. Les premiers resultats de simulation sont presentes et discutes dans le but d'optimiser les performances du systeme