OPtimisation des protections contre les ESD de circuits en technologie cmos
Institution:
Montpellier 2Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
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Abstract FR:
La premiere partie traite des notions de base sur les decharges electrostatiques : l'origine des esd, les modeles de decharge, les methodes d'analyse de defaillance, les phenomenes physiques engendres et leurs modelisations, l'influence de divers parametres et les defauts generes. Le procede de fabrication et le logiciel de simulation utilises lors de cette etude sont egalement decrits. La deuxieme partie propose une synthese des protections utilisees dernierement, fondees sur le npn lateral. Les schemas et les regles de dessin sont presentes. Les simulations du comportement physique et l'analyse des defauts du npn mettent en evidence l'influence de ses implants et dimensions. Un examen de la qualification de produits aux esd montre l'importance de leurs specifications et les defauts latents aux protections par npn. Une conclusion resume tous ses inconvenients. La troisieme partie presente les investigations realisees afin de proposer de nouvelles solutions. Les simulations du comportement physique et l'analyse des defauts de nmos sans et avec resistance integree dans le drain sont decrites. Leurs implementations dans des plots ont permis de definir les plus efficaces. Une nouvelle protection dynamique des alimentations, le mosswi, est ensuite detaillee. L'aboutissement de cette etude a ete le developpement d'une bibliotheque de plots. Ses resultats aux tests esd ainsi que les ameliorations et avantages qu'elle offre sont presentees.