Abstract FR:

L'objet de cette these est l'etude des sources de bruit basse frequence responsables des limitations electriques du composant ainsi que l'extraction d'elements d'un schema equivalent petit signal a partir des mesures hyperfrequences et de bruit basse frequence. Nous avons etudie des transistors bipolaires polysilicium issus d'une technologie bicmos 0. 5 m et des transistors bipolaires a heterojonction iii-v montes sur substrat gaas et sur substrat inp. En particulier, une modelisation du bruit basse frequence est proposee. La localisation des differents etats pieges responsables du bruit en exces au sein de la structure est etudiee. Une etude de la correlation entre les differentes sources de bruit est effectuee en fonction de la resistance de source. De facon generale, la source de bruit en courant associee au courant base est consideree dominante dans un montage dit haute impedance a savoir une resistance de source tres superieure a la resistance d'entree dynamique du composant monte en emetteur commun. Les mesures de coherence ont mis en evidence l'importance de la source de bruit en exces associee au courant collecteur dans un montage dit basse impedance a savoir une resistance de source faible devant la resistance d'entree dynamique. Des methodes d'extraction de resistance d'emetteur et de resistance de base basees sur des mesures de bruit blanc, sur l'extraction des differentes densites spectrales et sur des mesures de parametres s sont proposees. Une bonne compatibilite entre ces differentes methodes est observee ce qui permet de valider les methodes de bruit basse frequence employees.