Abstract FR:

Les phenomenes induits par les radiations restent un sujet d'etude tres actuel pour la survie des composants dans l'espace. Le latchup declenche par ion lourd conduisant a la destruction des cmos fait partie des effets dont il faut s'affranchir. Apres avoir fait le point sur l'environnement radiatif et le verrouillage des dispositifs cmos par sa structure parasite pnpn, nous nous sommes interesses aux simulateurs de composants susceptibles de nous permettre une meilleure comprehension du phenomene et des etudes sur les possibilites de durcissement des composants. Parallelement aux simulations sur des structures de test comportant des modifications geometriques, nous avons fait des mesures experimentales en mode statique et sous ions lourds des parametres de declenchement en latchup. Puis nous avons etudie des composants cmos complets issus de la technologie scmos-1m de matra-mhs. Une comparaison des resultats obtenus par simulation et experimentalement nous a permis de conclure sur l'influence des modifications geometriques et sur la pertinence de l'utilisation de la simulation de composant dans des etudes de durcissement