Abstract FR:

Les composants iii-v a base gasb ont de nombreuses applications dans le moyen infrarouge comme les liaisons optiques par fibres a verres fluores, les transmissions radar a travers les fenetres atmospheriques ou la detection et l'analyse spectroscopique des gaz. La premiere partie de ce memoire est consacree a l'epitaxie en phase liquide des alliages quaternaires gainassb et gaalassb accordes sur substrat de gasb et a leur caracterisation physique (dopage, photoluminescence, electroreflexion). Dans une autre partie les proprietes electrique et optique des heterointerfaces de type i gaalassb/gasb et de type ii gainassb/gasb sont etudies. Les discontinuites de bandes de conduction et de valence sont evaluees et, dans le cas des heterojonctions de type ii gainassb/gasb, des transitions indirectes dans l'espace reel sont mises en evidence par photoluminescence. La partie finale traite de la realisation et de la caracterisation de doubles heterostructures lasers gainassb/gaalassb emettant vers 2. 38 micrometres a temperature ambiante et de photodiodes a heterojonction gasb/gainassb a longueur d'onde de coupure 2. 5 micrometres. En conclusion de ce travail, une transition directe elementaire source-detecteur a ete demontree a 2. 1 micrometres