Abstract FR:

L'evolution de la microelectronique rend necessaire une etude approfondie du bruit et des parametres petits-signaux. L'equipe a donc mis au point un simulateur microscopique, la methode des paquets repartis, dont l'approche deterministe est tres efficace pour calculer les parametres petits-signaux. Dans cette these nous avons developpe l'approche stochastique de cette methode pour etudier les fluctuations. Nous avons montre que l'on peut etudier de facon detaillee le bruit en courant, et celui en tension en fonction de la position dans une structure unidimensionnelle. Nous avons montre notamment que le bruit en tension dans une diode p#+pp#+ est situe surtout dans la zone active, en particulier du cote ou se trouvent les porteurs chauds. Nous avons ensuite etendu l'approche deterministe afin d'etudier la reponse locale d'une structure unidimensionnelle a une perturbation locale. Nous avons montre qu'en presence d'un champ electrique la perturbation se deplace dans le sens des porteurs a une vitesse legerement inferieure a celle des porteurs. Dans une diode elle est stoppee aux jonctions et perd sa forme initiale. Nous avons vu qu'en modifiant la facon d'introduire la perturbation, on changeait les reponses locales mais pas les reponses globales. Enfin en reunissant les deux approches nous avons montre que le bruit local est different de la contribution locale au bruit total ; ensuite, a partir d'une extension de la theorie du champ d'impedance, nous avons propose un algorithme pour calculer les sources locales de bruit. Nous avons valide cet algorithme dans le cas d'une resistance homogene et montre que la source de bruit calculee ne dependait pas de la facon dont on introduisait la perturbation. Nous avons enfin montre que l'on pouvait calculer la temperature de bruit, grandeur accessible par l'experience. Nous disposons donc d'un outil de simulation capable de calculer au meme niveau microscopique aussi bien les parametres petits-signaux que le bruit (en courant et en tension) dans des structures submicroniques.