Abstract FR:

La geometrie innovante du laser a cavite verticale presente un attrait considerable pour quelques applications specifiques telles que les interconnexions optiques massivement paralleles ou l'ordinateur optique qui necessitent des reseaux uni- ou bi-dimensionnels de lasers a faible courant de seuil. Dans le dessein de realiser un laser a cavite verticale monolithique emettant aux longueurs d'onde d'interet pour les telecommunications optiques (1,31,55 m), le systeme semiconducteur algaassb permet d'atteindre de tres haut pouvoirs reflecteurs pour les miroirs de bragg, qui constituent les elements cles de ce type de composant. La pierre angulaire de ce travail a ete d'etablir les conditions de croissance par epitaxie par jets moleculaires des couches antimoniures sur inp et sur gasb. En particulier l'accord de maille de algaassb sur inp a ete obtenu malgre les difficultes liees a une lacune de miscibilite a ces compositions. Le choix de multipuits gainsb dans des barrieres de algaassb comme zone active sur gasb emettant a 1,55 m, nous a permis d'atteindre une emission laser a temperature ambiante sur des lasers a emission par la tranche, ce resultat constituant une premiere mondiale. La realisation de miroirs de bragg performants aux longueurs d'onde de 1,55 m et 2 m valide les grandes potentialites du systeme semiconducteur algaassb/alassb pour la fabrication de lasers a cavite verticale fonctionnant dans le proche infrarouge. De meme la croissance d'une structure a cavite verticale 3 centree a 1,5 m montre la faisabilite de lasers a cavite verticale totalement monolithiques sur gasb pour les applications aux telecommunications optiques.