Abstract FR:

La miniaturisation croissante des composants electroniques necessite le developpement de nouvelles techniques de caracterisation operationnelles en dessous du micrometre. Cet ouvrage est consacre a l'adaptation aux materiaux semi-conducteurs du microscope a effet tunnel photonique (pstm), et plus particulierement a l'etude du phenomene de capture du champ proche optique par les sondes des microscopes a force atomique (afm). Apres avoir presente le principe et les possibilites de cet outil, nous exposons differentes approches theoriques generalement utilisees pour modeliser son fonctionnement. Ensuite, nous decrivons l'ensemble des dispositifs de mesures mise en oeuvre pour etudier les proprietes optiques des sondes afm ; nitrure de silicium, silicium a levier piezoresistif. A partir des resultats experimentaux obtenus, nous montrons l'influence obtenus, nous montrons l'influence de plusieurs parametres sur le comportement du systeme. La forme de ces sondes et les conditions d'eclairage, orientation et polarisation du faisceau laser utilise, modifient sensiblement l'emission des photons captes sur la surface d'un echantillon. Afin d'expliquer ces observations, nous les interpretons en utilisant divers modeles theoriques. Les informations recueillies sont utiles a la realisation de nouveaux capteurs specifiques a la capture du champ proche optique. Ces capteurs sont indispensables a l'amelioration des performances d'un tel microscope.