Abstract FR:

La realisation d'un systeme de caracterisation experimentale de transistors microondes de puissance fortement desadaptes constitue l'objet de cette these. Les impedances de charge des composants sous test sont synthetises electroniquement et se repartissent naturellement dans la zone de fonctionnement optimal du composant (puissance ajoutee maximum, rendement en puissance ajoutee maximum,). En outre, les risques de deterioration du transistor sont tres largement diminues. La caracterisation du dispositif non lineaire est precise, fiable, rapide et la methodologie mise en uvre est independante de la frequence de travail, des conditions de polarisation, de la nature du composant (mesfet, hfet, hemt, mosfet, hbt,), des impedances d'entree et de sortie et des niveaux de puissance de sortie. Ce systeme presente est bien approprie au developpement d'un banc de caracterisation experimentale fort signal de type multiharmonique