Abstract FR:

Les composants iii-v emettant dans le moyen-infrarouge ont de nombreuses applications, comme les liaisons optiques par fibres a verres fluores ou la detection et l'analyse spectroscopique des gaz. Ce memoire presente l'etude de deux filieres permettant l'obtention de diodes lasers emettant vers deux micrometres. La premiere partie est consacree a l'etude detaillee (fabrication, optimisation, caracterisation et modelisation du courant de seuil) de la filiere accordee gainassb/gasb, obtenue par epitaxie en phase liquide. La deuxieme partie presente en parallele l'etude d'une filiere totalement nouvelle: filiere a puits quantique contraint d'inas dans une matrice de gainas et a confinement separe, realisee par epitaxie par jets moleculaires sur substrat inp