thesis

Contribution à l'étude du phénomène de latchup induit par une impulsion électrique ou de rayons-x dans des structures de test CMOS

Defense date:

Jan. 1, 1994

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Institution:

Montpellier 2

Disciplines:

Directors:

Abstract EN:

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Abstract FR:

Parmi les effets des radiations sur l'electronique, le latchup declenche par une impulsion ionisante est certainement le plus contraignant car il peut provoquer une perte irreversible de la fonctionnalite du systeme. Une experimentale du phenomene induit par une impulsion electrique ou par rayons-x pulses (1 mev) a ete realisee au centre d'etudes de gramat (dga), sur des structures de test cmos issues de deux technologies differentes. A partir d'une metrologie bien etablie les seuils de declenchement en fonction du debit de dose ont ete determines, ainsi que leurs dependances avec la temperature. Ces differents points ont ete developpes dans les quatre premiers chapitres du memoire. Enfin des simulations numeriques du phenomene, effectuees a l'aide du logiciel 2d medici au centre d'electronique de montpellier, ont permis une analyse physique du latchup et montrent un bon accord avec les resultats experimentaux