thesis

Simulation numérique du piégeage et du dépiégeage dans les oxydes de composants MOS

Defense date:

Jan. 1, 1996

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Institution:

Montpellier 2

Disciplines:

Authors:

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Abstract EN:

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Abstract FR:

L'interaction des rayonnements ionisants avec les materiaux des composants electroniques a pour effet de generer des paires electron-trous dans ces composants. Ces porteurs libres peuvent etre pieges dans le volume de l'oxyde et/ou aux interfaces (sio2-si, sio2-metal). Il apparait des zones de charges d'espace qui perturbent le fonctionnement du composant. La modelisation des mecanismes de piegeage et de guerison des composants irradies apporte des informations permettant de diminuer leur sensibilite aux radiations. Nous presentons les resultats des simulations de creation et de piegeage des charges dans sio2 et d'evolution des charges piegees a l'aide d'un modele de piegeage-depiegeage sur plusieurs niveaux (mtd). La comparaison de ces resultats avec les donnees experimentales nous permet de proposer des modeles de repartition spatiale et energetique de la charge piegee