Abstract FR:

Ce travail de these porte sur l'etude d'un systeme de materiaux innovants a base de gaassb/gainas/gaas sur substrat de gaas, en vue de la realisation de lasers emettant a 1,3 m. Nous avons d'abord montre a partir de mesures de photoluminescence et de photovoltage, que la discontinuite de bandes a l'interface gaassb/gaas etait de type ii (qv = 1,35). Sur la base de ce resultat, nous avons propose deux structures lasers a double puits quantiques gaassb/gainas et barriere de gaas, l'une asymetrique, l'autre symetrique, capables d'emettre a 1,3 m. Ces structures lasers ont ete realisees par epitaxie par jets moleculaires au cnet de bagneux. L'emission stimulee a ete obtenue a temperature ambiante sur des diodes laser ridge. Malheureusement, la longueur d'onde d'emission etait inferieure a 1,2 m, ce qui correspond a une transition entre niveaux quantiques excites. Le calcul du gain optique dans les deux types de structures, montre que la transition fondamentale a 1,3 m, peut neanmoins etre obtenue sur des lasers a plusieurs puits quantiques (n w = 3) et a faibles pertes (<10 cm - 1).