Abstract FR:

A partir d'un modele mathematique du piegeage des charges crees par irradiation dans les oxydes de silicium, nous avons elabore un code de calcul 2d utilisant la methode des elements finis permettant de simuler numeriquement l'evolution des charges dans les dispositifs metal-oxyde-semiconducteur. Nous resolvons de maniere couplee l'equation de poisson, les equations de transport et les equations de piegeage d'electrons et de trous en tenant compte de l'influence du champ electrique sur la recombinaison des paires et sur l'efficacite du piegeage. La simulation de capacites mos presentant differents types et epaisseurs d'oxyde a permis de valider notre modele et de l'appliquer au cas d'une structure en forme de bec d'oiseau. Nous avons ainsi observe l'influence des charges piegees sur le courant parasite