Abstract FR:

Ce travail concerne l'etude de la passivation par anodisation en milieu propanol-2/ acide citrique/thiouree des semiconducteurs iii/v a base d'antimoniure de gallium. La nature de la couche solide anodique a ete determinee au moyen de la spectrometrie de masse (fab), de la sonde ionique et de la spectrometrie de photoelectrons induits par rx (xps). Elle est formee d'un compose de formule chimique gasbt#4#n ou t represente la thiouree. Sa constante dielectrique est de 7,4 et sa conductivite est de quelques 10#-#1#5 ohms#-#1cm#-#1 a l'ambiante. Le champ electrique de claquage est de 2,5 a 3 10#6v. Cm#-#1. L'augmentation de l'intensite de la photoluminescence d'un facteur 2 a 10, sur divers substrats anodises (gasb massif, gasb/gaas et superreseaux gasb/gainsb/gasb 10 periodes), indique une amelioration significative des etats d'interface. La densite moyenne d'etats, mesuree par les methodes de terman et de gray sur des dispositifs mis a base de gasb, est inferieure a 1,5 10#1#2 cm#-#2 a 77k. Les courants de fuites de diodes mesa traitees au moyen de ce procede sont diminues d'un facteur 10 meme apres 6 mois d'exposition a l'air