Abstract FR:

L'electronique moderne tend a se developper sur des materiaux iii-v qui sont prometteurs dans les domaines de l'optoelectronique et des hyperfrequences, mais pour lesquels la technologie de fabrication n'est pas encore stabilisee. Dans le cadre des travaux actuellement effectues sur ces materiaux, nous proposons un ensemble d'outils destines a mettre en evidence les defauts qu'ils abritent et a etudier leurs interactions avec les contacts electriques des dispositifs. L'objectif est de pouvoir realiser des correlations microscopiques entre les defaillances de composants et les defauts observes. Notre ouvrage est subdivise en trois parties. Nous presentons tout d'abord des generalites sur l'inp ainsi que les diverses techniques que nous avons utilisees et les methodes de preparation associees. Le mecanisme de l'action de l'attaque chimique ds(l) sur l'inp est ensuite etudie en s'appuyant sur les resultats deja existants sur le gaas. La realisation d'etudes correlatives avec d'autres techniques, chimiques et optiques, permet d'ameliorer la connaissance que l'on a de la nature des defauts rencontres dans le phosphure d'indium. Nous decrivons enfin un dispositif original qui permet d'observer et de topographier l'interface entre les contacts electriques et le semiconducteur dans les dispositifs