Evaluation, validation et design de cellules hybrides CMOS-technologie non-volatile émergente pour une architecture reconfigurable à grain fin
Institution:
Montpellier 2Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
On a very competitive marketplace, time to market of electronic and microelectronic chips is a critical point. Using FPGAs instead of ASICs avoid place and route, layout, mask confection and foundry steps but power consumption and area performances are not optimized. The aim here is to propose an FPGA ciruit featuring non volatile configuration memory. Different emerging non volatile memories and their compatibility with classical CMOS circuits are presented. Integration of these technologies in a programmable architecture context is discussed. A standard structure (RSRAM) is proposed to convert information from their physical into electrical form. This RSRAM is derived under different forms adapted to the writing circuits of the different non volatile memory technologies. This structure provides the circuit with dynamical and sadowed reconfiguration capabilities. An FPGA with magnetic non volatile configuration memory is proposed. This circuit has been simulated and will soon be characterized.
Abstract FR:
Dans un milieu fortement concurrentiel, le temps de mise sur le marché des différentes puces électroniques et micro-électroniques est devenu un facteur critique. L'utilisation d'FPGAs au lieu d'ASICs permet d'économiser les étapes de placement routage, layout, réalisation des masques et fonderie au détriment des performances du circuit en terme de consommation, de surface. . . L'objectif ici est de proposer un circuit FPGA à mémoire de configuration non volatile. Différentes mémoires non volatiles émergentes et leur compatibilité avec des circuits CMOS conventionnels y sont présentées. L'intégration de ces technologies dans un contexte d'architecture reprogrammable y est discutée. Une structure standard (RSRAM) est proposée pour convertir les informations de leur forme physique sous forme de signal électrique. Cette RSRAM est dérivée sous différentes formes adaptées aux circuits d'écriture des différentes technologies de mémoires non volatiles. Cette structure confère au circuit reprogrammable dans lequel elle est utilisée des propriétés de reconfiguration dynamique et masquée. Un FPGA à mémoire de configuration non volatile magnétique est proposé. Ce circuit a été simulé et sera prochainement caractérisé.