Abstract FR:

Ce travail porte sur la croissance de gasb et d'inas par epitaxie par jets moleculaires (ejm), le but etant d'optimiser la preparation du substrat, de preciser les mecanismes de croissance de gasb de facon a definir des conditions experimentales permettant de s'affranchir des problemes de dopage residuel et de definir des conditions de croissance satisfaisantes d'inas, sur gasb, pour elaborer des structures inas/gasb de qualite acceptable. La premiere phase de l'etude est consacree a la mise au point d'une procedure de traitement des substrats de gasb et d'inas, avant epitaxie. Pour ce faire, l'exposition aux ultraviolets et a l'ozone est employee. Ensuite, les mecanismes fondamentaux de croissance de gasb par ejm sont etudies ; la diffusion des atomes de gallium en surface, l'incorporation des tetrameres d'antimoine et la structure de la surface durant la croissance sont precisees. Le comportement de l'antimoine distinct de celui des autres elements v est discute a l'aide d'un modele base sur la structure de la surface de gasb reconstruite (1). Les conditions de croissance de couches d'inas presentant une bonne morphologie, sur des substrats de gaas, gasb et inas sont ensuite definies ainsi que les conditions de formation de l'interface gasb/inas