Abstract FR:

Ce memoire propose une modelisation du comportement optoelectronique d'une diode electroluminescente a simple heterojonction au gaalas ou les parametres physiques prennant en compte les exces de porteurs et l'existence d'un champ electrique lie au regime de fortes injections. La comparaison des resultats theoriques, ou est egalement prise en compte la temperature effective de fonctionnement et de mesures de luminance-courant-tension, est effectuee pour des regimes statiques (jusqu'a 100 ma) et des regimes impulsionnels periodiques (jusqu'a des courants de crete avoisinant 1,5 a). Ce modele prend egalement en compte, dans les differentes regions de la diode, le profil spatial de la temperature ainsi que de son evolution temporelle deduits d'une modelisation thermique