thesis

Etude des centres profonds du silicium amorphe hydrogène a-Si:H par des mesures d'admittances de diodes Schottky : caractérisation d'interfaces SI::(X)-N::(1-X):H/A-SI:H sur des structures MIS

Defense date:

Jan. 1, 1987

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Institution:

Paris 6

Disciplines:

Applied sciences

Authors:

Directors:

Abstract EN:

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Abstract FR:

DDétermination des caractéristiques du silicium amorphe hydrogène par mesure et analyse des admittances de diodes Schottky fournies sur ce matériau: densité d'états en-dessous et au niveau de fermi avec section de capture efficace des électrons et énergie d'activation du matériel.