Abstract FR:

On étudie pour la mise au point de ce réacteur la vitesse de croissance des dépôts du GaInAs et du InP. On étudie aussi les propretés électriques et optiques du matériau pour sa qualité et sa pureté. Afin d'évaluer l'influence des conditions de croissance de l'épaisseur de la couche intermédiaire pour les transitions GaInAs vers InP et inversement, on caractérise les interfaces par ellipsométrie spectroscopique. Les composés obtenus ont permis de réaliser des photodiodes pin de type planar présentant de bonnes caractéristiques ainsi qu'un guide d'onde d'atténuation faible. L'ensemble de ces résultats s'applique au domaine de l'optoélectronique intégré.