Abstract FR:

Des films de ba::(1)-::(x)sr::(x)f::(2) et de sr::(x)f::(2) de parametres de maille tres proches de celui de inp ont ete realises par sublimation thermique sous vide afin de passiver ce semiconducteur. La determination de la composition, de l'etat cristallographique, de la structure energetique et des proprietes de transport des fluorures ont fait appel a diverses techniques (rbs, absorption infrarouge, diffusion raman, diffraction x en incidence rasante, absorption optique, etudes frequentielles,. . . ). Le comportement electrique des structures mis a ete deduit de mesures c(v), g(v) et dlts