Abstract FR:

Apres un recensement des differents mecanismes d'injection d'electrons "chauds" dans l'oxyde de grille et a l'interface sisio2 d'un transistor nmos, une technologie originale de determination de la zone de degradation est developpee. Elle consiste en une comparaison de deux mesures de la tension de seuil obtenues, l'une par une "methode de saturation du drain", l'autre par une "methode de saturation de la source". Le fait d'inverser le role du drain et de la source permet de mettre en evidence la dyssimetrie du transistor degrade. Grace a cette nouvelle technique, nous avons pu suivre l'evolution de la degradation de 360 transistors microniques soumis, en regime statique, a differentes contraintes en tension et en temperature pendant deux mille heures. Cette etude experimentale nous montre que la degradation est principalement due a l'injection, sur toute la longueur du canal, d'electrons emis a partir du courant de substrat. De plus, elle montre que ce courant est le parametre electrique accelerateur du mecanisme de defaillance. Une etude d'un accelere utilisant des courants de substrats eleves, nous permet de proposer un modele mathematique reliant la duree de vie du transistor au parametre accelerateur. Ce test, utilisable pour evaluer la fiabilite de toute technologie mos, nous a permis de determiner les limites temporelles dimensionnellles et electriques de transistors nmos fabriques par matra harris semiconducteur