Abstract FR:

De nombreux dispositifs de la famille inp se degradent pendant leur fonctionnement et cette degradation est attribuee a une migration provenant des metalissations dans la couche active des dispositifs. Ce travail est une etude approfondie dans l'inp, de la diffusion de l'or et de son comportement electrique, et de la filamentation sur des structures test. Il est montre que le coefficient de diffusion de l'or est faible dans l'inp, et que la diffusion de l'or ne suit pas un mecanisme regi par la loi de fick. Un modele est developpe, selon lequel une interaction a lieu entre les atomes d'or et les defauts presents dans le materiau. Les proprietes electriques induites par la presence de l'or dans le materiau sont etudiees par c(v) et par d. L. T. S. Sur des dispositifs d'etude-transistors a effet champ sans grille, les degradations de type filament ont ete etudiees. Le mecanisme de formation des filaments est eclairci. Par un modele theorique developpe dans cette these, on montre qu'un phenomene thermique est a l'origine du defaut. La presence d'or dans la zone active du dispositif est la consequence, et non la cause, de la degradation