Abstract FR:

Le premier chapitre effectue la synthese des connaissances theoriques sur le fonctionnement des diodes en statique et en dynamique (ondes submillimetriques). Les mecanismes physiques regissant le comportement des diodes en haute frequence sont discutes. L'objet du deuxieme chapitre est la presentation des methodes mises en oeuvre pour realiser les composants (nettoyages, depot electrolytiques par courant pulse, microlithographie par faisceaux d'electrons). Le but est de diminuer la geometrie des diodes 0 <ou= 1mu m, et de minimiser les elements parasites. Enfin, le troisieme chapitre presente les resultats obtenus en haute frequence