Abstract FR:

Ce memoire presente d'abord l'evaluation de la filiere logique i**(2)l a base de transistors bipolaires a double heterojonction gaalas/gaas. Les avantages apportes a la fois par les possibilites des heterojonctions et les qualites intrinseques de l'arseniure de gallium sont repertories. Une simulation rigoureuse du comportement en regime dynamique de la structure, qui s'appuie sur des modeles precis a controle de charge, est utilisee pour analyser l'influence des parametres technologiques et discuter les criteres d'optimisation. Les performances theoriques ainsi determinees sont alors favorablement comparees aux possibilites des autres filieres logiques sur le plan de la rapidite, de la consommation et de la capacite d'integration a grande echelle; on evalue en particulier pour une regle de dessin "1 micrometre", un facteur de merite de 3 fj pour un temps de propagation de l'ordre de 300 ps. La deuxieme partie du memoire est consacree a la mise en oeuvre d'un processus de realisation de transistors bipolaires a simple heterojonction et a double heterojonction a partir de la technique d'epitaxie par jets moleculaires