Abstract FR:

Ce memoire presente l'etude et la realisation d'un circuit integre bipolaire de type ecl sur arseniure de gallium. Une etude theorique de transistors bipolaires a double heterojonction a montre l'influence determinante de la jonction collecteur-base, notamment de sa gradualite, sur leur comportement electrique. Ces resultats ont pu etre confirmes par une analyse experimentale a partir de structures realisees par epitaxie en phase liquide. La simulation et l'optimisation d'un oscillateur en anneau a base de simples heterotransistors et mettant en oeuvre le logiciel astec iii, ont permis de calculer des temps de propagation par porte de 20 ps pour une puissance consommee de 4 mw; ceci confirme les potentialites de la filiere logique bipolaire sur asga. Enfin, un oscillateur en anneau a 3 portes ecl a ete concu et realise par les technologies d'epitaxie en phase liquide et d'attaques mesas, a partir d'un processus nouveau sur substrat semi-isolant. La faisabilite d'un circuit integre bipolaire asga a ainsi ete montree