thesis

Realisation et etude du transistor a base permeable en technologie silicium

Defense date:

Jan. 1, 1988

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Institution:

ENST

Disciplines:

Abstract EN:

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Abstract FR:

Le transistor a base permeable est constitue d'une grille metallique enterree dans un monocristal semiconducteur. Mais pour que ce transistor deviennent interessant d'un point de vue performance, il faut que les distances entre les doigts metalliques soient inferieures qu micron (submicron). Discussion sur la faisabilite d'un tel dispositif et des techniques lithographiques permettant de le realiser