Abstract FR:

L'elaboration d'un nouveau modele electrique du transistor a effet de champ permettant de caracteriser le composant en petit signal par ses parametres s et ses parametres de bruit dans le domaine micro-onde et millimetrique constitue l'objet de cette these. Notre modele est obtenu a partir de mesures de parametres s et de facteur de bruit effectuees jusqu'a 26 ghz et ensuite compare a differents modeles rencontres dans la litterature. Un exemple d'application a la conception d'un amplificateur bas niveau large bande a conduit a la realisation pratique d'un amploficateur a gain constant en technologie hybride dans la bande 18-40 ghz