thesis

Realisation de couches minces de ws#2 mise au point d'une cellule pour photopiles electrochimiques

Defense date:

Jan. 1, 1996

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Institution:

Nantes

Disciplines:

Authors:

Abstract EN:

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Abstract FR:

Au laboratoire, une technique peu couteuse et simple, appelee: reaction a l'etat solide entre les constituants sous forme de couches minces a ete utilisee pour obtenir les couches stoechiometriques et texturees de wse#2. Dans ce memoire, nous rapportons les resultats obtenus a l'aide de cette technique pour la realisation du semi-conducteur lamellaire de ws#2. Les substrats utilises sont du verre polie et depoli, recouvert ou non de couches minces de tungstene, molybdene, aluminium, titane, niobium et sno#2. Les couches sont deposees sous vide par evaporation classique et thermique de soufre, et par pulverisation r. F. De tungstene. Apres le depot, les feuillets ont ete recuits dans un tube scelle sous vide. La temperature de recuit varie entre 773 k et 873 k, tandis que la duree de recuit varie entre 2h et 145h. Toutes les couches sont cristallisees dans la structure de 2h-ws#2 avec une orientation preferentielle, telle que l'axe c des cristallites soit perpendiculaire au plan du substrat. La texturation s'ameliore lorsque la temperature et le temps de recuit augmentent. Cependant la taille de grains reste toujours petite (d 10 nm). Les analyses quantitatives montrent que les couches sont proches de la stoechiometrie. D'apres le microscope electronique a balayage, la surface des couches fines (0,06-0,1 m) est homogene, mais celle des couches plus epaisses (0,3-0,8 m) est plus rugueuse. Les proprietes optiques de couches sont en bon accord avec celles du monocristal, ce qui prouve les bonnes proprietes structurales des microcristallites. La bande interdite optique de couches minces etait 1,3 ev, ce qui est bien adapte au spectre solaire. Les proprietes electriques de couches ont ete expliquees a l'aide du modele de potentiel variable introduit par werner. Parmi tous les substrats metalliques, le substrat ni-cr est utilisable comme substrat conducteur. Le but du futur travail au laboratoire consiste a ameliorer la taille de grains des couches minces et la stabilite du substrat ni-cr lors de recuit sous l'atmosphere de soufre