Abstract FR:

Ce travail propose une approche de la modelisation des transistors a effet de champ sur asga a partir de la mesure des parametres petit signal et d'un algorithme d'optimisation. Le but des d'obtenir un schema equivalent ayant une signification physique qui permettra de suivre les fluctuations technologiques d'une chaine de fabrication de mmic. Le cas du tec bigrille est egalement traite. Enfin, on indique une approche possible decoulant de cette methode dans la modelisation en grand signal du tec