Abstract FR:

On precise l'influence des parametres geometriques sur le facteur de merite (ron. S) des transistors vdmos de puissance, puis deux methodes sont proposees et etudiees dans le but d'ameliorer le compromis "conductance par unite de surface-tenue en tension" de ce type de composants. Le premier procede est une application au domaine de la puissance des techniques utilisees en v. L. S. I. : il consiste a densifier dans de fortes proportions la cellule elementaire des structures m. O. S. Multicellulaires. Dans la deuxieme approche, l'amelioration provient du surdopage de type n de la surface du composant qui augmente localement la conductivite et permet un rapprochement des cellules diffusees. Dans les deux cas, on enregistre un gain d'un facteur 2 environ par rapport aux performances des structures "classiques