Abstract FR:

La miniaturisation des composants electroniques des circuits integres conduit a utiliser des interconnexions metalliques multicouches de plus en plus petites et donc soumises a des densites de courant elevees. Il en resulte des effets de degradation par electromigration. Mecanismes responsables et effets limitatifs obtenus par passivation des conducteurs d'aluminium. On decrit les essais industriels acceleres pour evaluer le processus de degradation et les methodes de mesure directes pour observer l'evolution geometrique des conducteurs. Une methode interferometrique a balayage permet de suivre la degradation dans le temps a quelques nanometres pres. Ainsi a pu etre realisee une etude dynamique de l'evolution des degradations de conducteurs d'aluminium recouverts d'une couche isolante en silice. On analyse l'influence des differents types d'isolements en silice au sein d'une structure d'interconnexions sur deux niveaux