thesis
Bibliothèque de modèles du transistor V. DMOS pour la simulation des circuits de l'électronique de puissance
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Apres l'etablissement du modele mathematique du vdmos qui prend en compte les effets de canal court pour la zone active ainsi que l'effet des elements parasites, on simplifie celui-ci pour l'implanter dans le logiciel spice en vue de l'etude des "regimes de commutation". Le dernier chapitre concerne la validation du modele implante. L'objectif de ce memoire est de presenter une bibliotheque de modes du transistor vdmos de puissance, destinee a la simulation des circuits de l'electronique de puissance