thesis

Un nouveau dispositif semiconducteur à avalanche et temps de transit : l'hétérostructure GaInAs/InP

Defense date:

Jan. 1, 1985

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Institution:

Lille 1

Disciplines:

Directors:

Abstract EN:

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Abstract FR:

L'idée de base consiste à associer un matériau à taux d'ionisation élevé pour la zone d'avalanche à un matériau à faible taux d'ionisation pour la zone de transit. Cette association permet de minimiser le rapport des tensions entre zone d'avalanche et zone de transit et ainsi d'avoir un rendement le plus grand possible.