Abstract FR:

Un nouveau modèle analytique permettant d'obtenir les schémas électriques «petit-signal» et «grand-signal» d'un MESFET submicronique sur GaAs est présenté. Ce modèle intègre de nombreux résultats issus de simulations bi-dimensionnelles (phénomène d'injection dans la couche tampon, phénomène d'avalanche, extensions de la zone désertée. . . ). Ce modèle est adapté à la C. A. O. à partir des paramètres physiques du composant et donc à la simulation de circuits linéaires et non linéaires (paramètres S, conception d'oscillateur, de mélangeur,. . . , et a donné de bons résultats (quelques résultats théoriques et expérimentaux sont présentés à 6 GHz et permettent d'apprécier les qualités du modèle)