Abstract FR:

Trois types de defauts sont crees au cours de la contrainte du transistor mos: etats d'interface, etats lents et pieges d'oxyde et identifies par des injections breves de trous et d'electrons dans l'oxyde. Les tensions de grille appliquees jouent un role important dans le type de defauts: les tensions faibles creant en majorite des pieges a trous et a electrons, les tensions moyennes, des defauts d'interface et les tensions elevees, les pieges d'oxyde. On etudie aussi la largeur du transistor, le comportement de structures a oxyde humide, ainsi que la duree de vie des dispositifs