Abstract FR:

Nous presentons dans ce memoire l'analyse de la distorsion de phase qui apparait lors du fonctionnement fort signal du transistor a effet de champ sur arseniure de gallium (tec gaas), ainsi que la modelisation non lineaire mise en uvre dans le but de concevoir un limiteur de puissance monolithique a distorsion de phase minimale. Pour mener cette etude, nous avons effectue d'abord une caracterisation electrique approfondie d'un lot de tec (caracterisations continues, hyperfrequence petit signal et hyperfrequence fort signal). Ce travail nous a permis de degager les principales origines du phenomene et d'enoncer un critere de tri des composantes susceptibles, a l'interieur d'un lot, d'introduire une distorsion de phase minimale. Nous avons de plus elabore un modele phenomenologique non lineaire du mesfet permettant de rendre compte de la distorsion de phase au plan theorique, dans l'objectif d'obtenir des resultats de simulation suffisamment fiables et precis pour autoriser la conception de circuits integres micro-ondes monolithiques (mmic). L'utilisation de ces outils de simulation nous a conduit a proposer une topologie originale des circuits d'adaptation et de polarisation du composant permettant une minimisation de la distorsion de phase. Cette topologie a ete utilisee ensuite pour la conception d'un limiteur de puissance monolithique qui a ete par la suite realise et dont nous presentons les performances mesurees. Enfin nous avons valide notre etude pour d'autres applications du tec gaas, telles la conception d'un amplificateur a puissance variable (realise en technologie hybride) et la simulation d'un lineariseur par pre-distorsion