Abstract FR:

La minimalisation architecturale des dispositifs entraine une augmentation du champ electrique dans les transistors, qui est a l'origine de la generation de porteurs chauds reduisant la fiabilite des composants. L'objectif de cette these est d'analyser les phenomenes et les mecanismes physiques des effets de porteurs chauds relatifs aux transistors mos silicium sur isolant (soi) ultracourts. La structure et le fonctionnement des transistors mos/soi sont d'abord decrits en detail. Puis, differentes technologies pour la realisation du materiau soi et l'interet de tels composants sont rappeles. Le deuxieme chapitre presente une analyse des effets de porteurs chauds dans les composants soi fortement submicroniques. Ces resultats etudies par differentes methodes et dans une large gamme de polarisation permettent d'indiquer avec precision le pire cas de degradation et souligner l'importance de l'action du transistor bipolaire parasite (tbp). Afin de determiner precisement la tension d'alimentation maximale, une technique d'extrapolation de la duree de vie des dispositifs tenant compte de la degradation en deux etapes est proposee dans le chapitre iii. Le quatrieme chapitre est consacre a l'etude de la degradation induite par l'action du tbp a l'etat off, l'influence de cet effet indesirable sur le vieillissement des composants etant identifiee. Le but du dernier chapitre est de comparer de maniere approfondie la fiabilite des nmos/soi et pmos/soi avec differentes epaisseurs du film de silicium et fabriques sur divers materiaux soi (simox et unibond). Enfin, d'autre aspects tels que les effets de porteurs chauds a basse temperature ont egalement ete etudies au cours de ce travail.