Abstract FR:

Transistors a heterojonction gaalas/gaas. Apres un rappel theorique des proprietes des heterojonctions, un avant projet d'un transistor destine a l'amplification haute frequence de puissance a ete propose. Nous avons ensuite presente les differentes methodes d'obtention des couches necessaires aux dispositifs, epitaxie en phase liquide, epitaxie par jets moleculaires, depot en phase vapeur a partir d'organometalliques. Ces etudes ont permis d'affiner chacune des methodes et de definir dans chaque cas les conditions optimales de realisation. Enfin, nous avons analyse et compare les differents procedes mis a notre disposition pour realiser entierement les transistors, un processus optimum a ainsi pu etre defini. Les dispositifs realises sont presentes et les resultats obtenus discutes, ouvrant la voie au developpement des circuits integres bipolaires asga