Abstract FR:

Les composants electroniques soumis aux rayonnements d'ions lourds et de protons de l'espace presentent des defaillances de type basculements d'etats logiques. L'etude de ces perturbations en fonction de la quantite d'energie deposee par les ions lourds qui les traversent a fait l'objet de nombreux travaux depuis une trentaine d'annees. Les informations concernant la sensibilite des circuits sous irradiations de protons proviennent essentiellement de donnees experimentales. Nous avons evalue les probabilites de depots d'energies induits dans les circuits par les fragments de spallations formes lors des reactions nucleaires entre protons et noyaux de silicium. A partir de ces donnees, et des sections efficaces de basculement en ions lourds, nous proposons un modele de prediction de sensibilite en protons en fonction de leur energie incidente et de l'epaisseur sensible du composant.