Abstract FR:

Cette etude a permis d'introduire la notion nouvelle de vitesse dynamique a la jonction d'une photopile et de montrer son evolution avec l'ensemble des parametres definissant la structure d'une photopile ainsi qu'avec les conditions de son fonctionnement. L'ensemble de l'etude montre que le dopage de la base d'une jonction est un parametre important puisque toute modification de sa valeur produit une augmentation de la vitesse dynamique a la jonction. Il est montre que son influence est plus marquee pour des fonctionnements sous faible polarisation ce que indique de meilleures performances de la jonction. Pour les structures a champ arriere un phenomene de saturation apparait indiquant que des dopages inferieures a 10#1#6 cm#-#3 sont suffisants pour atteindre des performances extremes pour ces structures. Ces resultats montrent aussi que la miniaturisation des composants fait apparaitre des phenomenes nouveaux puisque pour de faibles epaisseurs la structure du contact arriere a une tres forte influence sur l'activite de la jonction qui augmente avec la vitesse de recombinaison des porteurs sur cette interface. La vitesse dynamique a la jonction permet la description de l'efficacite du composant. Elle a conduit a faire ressortir l'influence preponderante, pour une jonction en absence d'eclairement, de l'apparition d'un champ electrique interne dans la base, sur le fonctionnement de la jonction, alors que pour une photopile sous eclairement, ce champ intervient peu et c'est la distribution des porteurs libres dans la base qui en modifie le fonctionnement. L'origine des phenomenes de haute injection observee dans ces composants et provenant de la contribution de la base, est donc de nature differente. La vitesse dynamique a la jonction permet d'ecrire une condition aux limites, a l'interface a limite de la zone desertee. Cette condition aux limites sera d'un apport fondamentale a l'etude, en modelisation, des parametres des photopiles. Elle a permis de retrouver simplement, en les comparant, les structures optimisees, caracterisees par un faible epaisseur de base et une faible vitesse de recombinaison a la face arriere.