Abstract FR:

Ce memoire concerne l'etude et la realisation des transistors a effet de champ a heterojonction et a gaz d'electron a l'interface gaas-gaalas. Les transistors a effet de champ sont associes aux photodetecteurs. Apres un bref appel sur les differentes structures realisees sur ce materiau, nous nous sommes interesses a un nouveau dispositif forme d'une barriere de potentiel. Ce dispositif constitue par deux couches gaas et gaalas intrinseques s'associe convenablement a un photoconducteur. Dans le domaine de la detection deux integrations monolithiques ont ete realisees. La premiere associe une photodiode gaas a un transistor a effet de champ gaas/gaalas, la deuxieme comporte un photoconducteur interdigite cdte et un transistor a effet de champ gaas/gaalas. Les deux dispositifs sont realises sur un meme substrat gaas semi-isolant. La fabrication du tec a heterojonction est organisee a partir de la technique de l'epitaxie en phase liquide. La technologie de fabrication est detaillee et les caracteristiques courant-tension des dispositifs identifiees. Un gain en courant de 15 et des courants inverses de l'ordre de 1 na pour le dispositif pn-tec sont obtenus. Un transistor a effet de champ a heterojonction a regions gaas et gaalas non dopees est realise. La formation d'un gaz bidimensionnel d'electrons a l'interface des deux couches gaas et gaalas intrinseque est obtenue. Le dispositif a montre une transconductance de 25 ms/mm