Abstract FR:

Les travaux rapportes dans ce memoire concernent la modelisation du comportement thermique des diodes electroluminescences a heterojonction au gaalas (longueur d'onde: 650 nm). Prenant en compte les processus de recombinaisons dictant le comportement optoelectronique du composant, cette modelisation, applique a l'etude de l'echantillon non enrobe, permet de preciser le profil de temperature dans les differentes regions de la diode. Ceci pour divers niveaux d'excitation en regime statique. Elle permet egalement de determiner l'evolution temporelle de la temperature en reponse indicielle ou sous excitation impulsionnelle periodique. Elle conduit a proposer des soltuions pour l'optimisation du comportement thermique du composant