Abstract FR:

Une nouvelle approche pour la modelisation des composants semiconducteurs de puissance est proposee dans ce memoire. Elle repose sur une representation regionale des modeles de composants. L'objectif est de substituer au concept traditionnel associant a chaque composant un modele specifique, celui de l'assemblage d'un nombre limite de sous-modeles associes aux differentes regions du semiconducteur. En d'autres termes, la librairie de modeles de composants de puissances est remplacee par une librairie de modeles representant les differentes regions du semiconducteurs. Cette approche garantit la compatibilite de representation des differents composants semiconducteurs mis en oeuvre dans les circuit simules en ce qui concerne le domaine de validite et la precision, les modes d'implantation dans le simulateur et les methodes d'obtention des parametres. Apres avoir valide cette approche dans le cas de diodes pin et de transistors igbt, nous avons simule le fonctionnement couple de ces deux composants dans une cellule de commutation. L'accord obtenu entre les caracteristiques simulees et mesurees montre la consistance et la pertinence de l'approche pour des objectifs de simulation de circuits en electronique de puissance.