Abstract FR:

On propose de preparer un materiau a haute constante dielectrique a couches d'arret aux joints de grains par un frittage a basse temperature (1100**(o)c) de srtio::(3) dope et reduit en presence d'un sel de lithium. La formation de la seconde phase isolante constituee de bi::(2)o::(3) est envisagee au cours de ce meme cycle thermique. La poudre de srtio::(3) est prealablement dopee par des composes de structure perovskite afin de faciliter l'incorporation du dopant, et reduite a 1350**(o)c sous atmosphere reductrice. La physico-chimie de frittage a 1100**(o)c en presence d'un sel de lithium et les proprietes dielectriques et microstructurales de srtio::(3) dope par srli::(1/4)nb::(3/4)o::(3) d'une part, la::(2/3)tio::(3-epsilon ) d'autre part, sont etudiees puis comparees a celles de srtio::(3) dope par la la::(2)o::(3) et srtio::(3) non dope