Abstract FR:

Des films de gaas polycristallin ont ete realises par depot en phase vapeur, a partir de molecules organometalliques. L'auteur a montre que les proprietes electriques de ce materiau semiconducteur sont controlees par les joints de grains. Une densite d'etats de surface uniforme entre les grains a ete mise en evidence. L'introduction entre les grains d'une phase amorphe de type si::(y)c::(1-y) modifie le mode de conduction. La resistivite des films augmente ou diminue suivant la valeur de la concentration de si::(y)c::(1-y). Un depot par plasma froid a partir des memes molecules que celles utilisees precedemment, conduit a un materiau amorphe polymerique. Celui-ci est compose d'atomes de gallium et d'arsenic. Ses proprietes electriques sont plutot celles d'un isolant que celles d'un semiconducteur. Enfin, il a ete montre qu'un film contenant des atomes de ga et d'as peut etre utilise pour la passivation de la surface de substrats de gaas monocristallin