Abstract FR:

L'utilisation de materiaux organiques comme couche active de composants electroniques a suscite ces dernieres annees un reel interet. La simplicite et le faible cout des techniques mises en jeu laisse entrevoir de nombreuses applications telles que des diodes electroluminescentes, des capteurs de gaz, ou encore des transistors a effet de champ. Toutefois les valeurs de mobilite rencontrees dans les materiaux organiques conducteurs (de l'ordre de 10#-#4 cm#2/v. S) restent encore faibles par rapport a celles du silicium amorphe ou du silicium hydrogene (de l'ordre de 10 cm#2/v. S), et freinent le developpement de ces applications. L'etude presentee dans ce memoire concerne la realisation et la caracterisation de transistors a effet de champ a base de couches langmuir-blodgett d'edt-ttf(sc#1#8)#2. Apres avoir justifie du choix de la conductance de drain comme parametre d'etude, les tendances generales concernant les reseaux de caracteristiques obtenus sont presentees, ce qui permet notamment de mettre en evidence la presence de pieges statiques et dynamiques a l'interface. La suite de l'etude porte plus particulierement sur les problemes de vieillissement et de stabilite electrique. Une interpretation phenomenologique des mecanismes de commande et de conduction dans les couches, basee d'une part sur la presence de niveaux accepteurs dans le canal de conduction, d'autre part sur l'hypothese de joints de grain qui se dilatent ou se retractent sous l'effet de la temperature, est proposee et, fin de manuscrit