Abstract FR:

Les techniques de fabrication des circuits integres sont en plein essor et il est maintenant possible d'integrer facilement des circuits numeriques et analogiques sur une meme puce de silicium; la conception de tels circuits est d'une tres grande importance, notamment en traitement signal. Cependant, les dispersions technologiques limitent les performances des circuits analogiques dans certaines applications de haute precision. De nombreux essais sur la compensation (en regimes statique et dynamique) des dispersions technologiques ont ete tentes; les methodes existantes ne permettent que des compensations en serie, ce qui est fastidieux quand on est en presence de nombreuses cellules identiques. Nous proposons une methode de compensation en parallele, et par consequent globale, avec controle local automatique. Elle est basee sur l'utilisation d'un dispositif de memorisation analogique non volatile par effet tunnel. La validation de cette methode est effectuee par la mise en uvre de realisations effectuees sur des circuits integres analogiques cellulaires. Apres une presentation generale des memorisations non volatiles et des compensations des circuits integres, un dispositif de memorisation analogique non volatile realise est presente et ses performances exposees. Cette compensation parallele automatique a ensuite ete appliquee aux trois circuits suivants: un circuit de comparateurs (amplificateur), une retine electronique tcl (traitement combinatoire local) (reduite ici a une matrice de 2x2 pixels identiques) et une retine electronique de conversion d'image analogique d'une petite surface contenant une matrice de 8x9 pixels. Les resultats experimentaux des trois prototypes realises prouvent que cette compensation parallele automatique est valide et efficace